專注高端精密劃片機(jī)
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2022-03-10 0
單次切割,即一次完全切割硅片,切割深度到UV膜厚度1/2的位置,如下圖所示。該方法工藝過(guò)程簡(jiǎn)單,適合超薄材料切割,但切割過(guò)程刀具磨損嚴(yán)重,切割道邊緣易產(chǎn)生崩邊和毛刺,工件因受磨削力的影響,材料表面及亞表面易產(chǎn)生裂紋等缺陷。
針對(duì)硬脆材料劃切工藝缺陷,本文提出一種分層劃切工藝方法,如下圖所示。根據(jù)切割材料的厚度,在劃切深度方向采用分層(階梯式)進(jìn)給的方式進(jìn)行劃切,首先進(jìn)行開(kāi)槽劃切,采用比較小的進(jìn)給深度,以保證刀具受力小,降低刀具磨損,減小切割道正面崩邊,然后再沿著第一刀劃切道繼續(xù)進(jìn)行劃切。
兩種切割方式切割過(guò)程中切割膜的厚度需要保證,當(dāng)切割膜過(guò)深,將切透膜,導(dǎo)致工件盤失去真空能力而無(wú)法固定硅片;當(dāng)切割膜過(guò)淺,將導(dǎo)致硅片背面崩邊嚴(yán)重,因此,切割過(guò)程對(duì)最后一次切割的深度必須保證。
138-2371-2890