半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造過(guò)程主要包括前道晶圓制造和后道封裝測(cè)試，隨著先進(jìn)封裝技術(shù)的浸透，呈現(xiàn)了介于晶圓制造和封裝之間的加工環(huán)節(jié)，稱(chēng)為中道）。半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工工序多，在制造過(guò)程中需求大量的半導(dǎo)體設(shè)備。在這里，我們引見(jiàn)傳統(tǒng)封裝（后道）的八道工藝。

傳統(tǒng)封裝工藝大致能夠分為反面減薄、晶圓切割、晶圓貼裝、引線(xiàn)鍵合、塑封、激光打印、切筋成型和廢品測(cè)試等8個(gè)主要步驟。與IC晶圓制造（前道）相比，后道封裝相對(duì)簡(jiǎn)單，技術(shù)難度較低，對(duì)工藝環(huán)境、設(shè)備和資料的請(qǐng)求遠(yuǎn)低于晶圓制造。

反面減薄

由于制造工藝的請(qǐng)求，對(duì)晶片的尺寸精度、幾何精度、外表干凈度等都提出很高的請(qǐng)求，因而在幾百道工藝流程中只能采用一定厚度的晶片在工藝過(guò)程中傳送、流片。通常在集成電路封裝前，需求對(duì)晶圓反面多余的基體資料去除一定的厚度，這一過(guò)程稱(chēng)之為晶圓反面減薄工藝，對(duì)應(yīng)配備是晶圓減薄機(jī)。

晶圓切割

依據(jù)晶圓工藝制程及客戶(hù)的產(chǎn)品需求，一片晶圓通常由幾百至數(shù)萬(wàn)顆小芯片組成，業(yè)內(nèi)大局部晶圓上的Dice之間有著40um-100um不等的間隙辨別，此間隙被稱(chēng)為劃片街區(qū)（切割道)。而圓片上99%的芯片都具有獨(dú)立的性能模塊（1%為邊緣Dice，不具備運(yùn)用性能），為將小芯片別離成單顆Dice,就需采用切割的工藝停止切割別離，此工藝過(guò)程叫做晶圓切割。

晶圓貼裝

晶圓貼裝的目的將切割好的晶圓顆粒用銀膏粘貼在引線(xiàn)框架的晶圓廟上，用粘合劑將已切下來(lái)的芯片貼裝到引線(xiàn)框架的中間燥盤(pán)上。通常是環(huán)氧（或聚酰亞胺）用作為填充物以增加粘合劑的導(dǎo)熱性。

引線(xiàn)鍵合

引線(xiàn)鍵合的目的是將晶圓上的鍵合壓點(diǎn)用極細(xì)的金線(xiàn)銜接到引線(xiàn)框架上的內(nèi)引腳上，使得晶圓的電路銜接到引腳。通常運(yùn)用金線(xiàn)的一端燒成小球，再將小球鍵合在第一焊點(diǎn)。然后依照設(shè)置好的程序拉金線(xiàn)，將金線(xiàn)鍵合在第二焊點(diǎn)上。

塑封

將完成引線(xiàn)鍵合的芯片與引線(xiàn)框架置于模腔中，再注入塑封化合物環(huán)氧樹(shù)脂用于包裹住晶圓和引線(xiàn)框架上的金線(xiàn)。這是為了維護(hù)晶圓元件和金線(xiàn)。塑封的過(guò)程分為加熱注塑、成型兩個(gè)階段。塑封的目的主要是：維護(hù)元件不受損壞；避免氣體氧化內(nèi)部芯片；保證產(chǎn)品運(yùn)用平安和穩(wěn)定。

激光打印

激光打印是用激光射線(xiàn)的方式在塑封膠外表打印標(biāo)識(shí)和數(shù)碼。包括制造商的信息，器件代碼，封裝日期，能夠作為辨認(rèn)和可追溯性。

切筋成型

將原來(lái)銜接在一同的引線(xiàn)框架外管腳切斷別離，并將其彎曲成設(shè)計(jì)的外形，但不能毀壞環(huán)氧樹(shù)脂密封狀態(tài)，并防止引腳扭曲變形，將切割好的產(chǎn)品裝入料管或托盤(pán)便于轉(zhuǎn)運(yùn)。

廢品測(cè)試

檢測(cè)產(chǎn)品的外觀能否能契合設(shè)計(jì)和規(guī)范。常見(jiàn)的的測(cè)試項(xiàng)目包括：引腳平整性、共面性，引腳間的腳距，塑封體能否損傷、電性能及其它功用測(cè)試等。